| 主权项 |
1.一种形成包含磷掺杂二氧化矽层之方法,其包含: 在沈积室内提供基板;以及 在有效沈积包含磷掺杂二氧化矽层至该基板的状 况下,在复数个沈积循环中以交替及时间上分离脉 冲将第一及第二汽相反应物引入该室内的该基板, 该等第一及第二汽相反应物之一系PO(OR)3,其中R系 烃基,该等第一及第二汽相反应物中的另一个系Si( OR)3OH,其中R系烃基。 2.如请求项1之方法,其中该等状况包含原子层沈积 。 3.如请求项1之方法,其中该等状况系有效地形成具 有不大于0.5原子百分比磷的该包含二氧化矽层。 4.如请求项1之方法,其中该等状况系有效地形成具 有至少1.0原子百分比磷的该包含二氧化矽层。 5.如请求项1之方法,其在形成该包含磷掺杂二氧化 矽层中,不将除该等第一及第二汽相反应物以外的 任何汽相反应物引入该室。 6.如请求项1之方法,其包含在该等第一及第二汽相 反应物的至少一些该等分离脉冲中间,引入不同于 该等第一及第二汽相反应物之另一汽相反应物。 7.如请求项6之方法,其中该另一汽相反应物系包含 氧。 8.如请求项7之方法,其中该另一汽相反应物包含O3 。 9.如请求项6之方法,其中该另一汽相反应物系包含 硼,该包含磷掺杂二氧化矽层包含硼。 10.如请求项1之方法,其中该PO(OR)3 的R烃基仅包含 一至五个碳原子。 11.如请求项1之方法,其中该Si(OR)3 OH的R烃基仅包含 一至五个碳原子。 12.如请求项1之方法,其中该PO(OR)3 包含磷酸三乙酯 。 13.如请求项1之方法,其中该Si(OR)3 OH包含三(叔丁氧 基)矽烷醇。 14.如请求项1之方法,其中该PO(OR)3 包含磷酸三乙酯 ,且其中该Si(OR)3 OH包含三(叔丁氧基)矽烷醇。 15.如请求项1之方法,其中该等状况包含约50℃至约 500℃之温度。 16.如请求项15之方法,其中该等状况包含约100℃至 约300℃之温度。 17.如请求项1之方法,其中该等状况包含约10-7Torr至 约10Torr之压力。 18.如请求项1之方法,其中该等状况包含至少该等 第一及第二反应物之一的电浆产生。 19.如请求项1之方法,其中该等状况系无该等第一 及第二反应物的电浆产生。 20.如请求项1之方法,其包含在该等分离脉冲中间, 以惰性气体冲洗该室。 21.如请求项1之方法,其中在形成该包含磷掺杂二 氧化矽层中,该基板上无铝。 22.如请求项1之方法,其中在形成该包含磷掺杂二 氧化矽层中,不引入任何汽相含铝反应物至该室。 23.一种形成包含磷掺杂二氧化矽层之方法,其包含 : 在沈积室内提供基板; 将第一物种化学吸附至该基板的表面,以便从含PO( OR)3的第一汽相反应物形成第一物种单层至该室内 的该表面上,其中R系烃基; 将经化学吸附之第一物种与包含Si(OR)3OH的第二汽 相反应物接触,其中R系烃基,以便形成包含Si及O的 单层;以及 在有效沈积包含磷掺杂二氧化矽层至该基板的状 况下,连续重复化学吸附该第一物种,并将经化学 吸附之第一物种与该第二反应物接触。 24.如请求项23之方法,其中至少首先化学吸附该第 一物种的该基板表面系提供为一羟基化表面。 25.如请求项23之方法,其中该等状况可有效地形成 该包含二氧化矽层,其具有不大于0.5原子百分比磷 。 26.如请求项23之方法,其中该等状况可有效地形成 该包含二氧化矽层,其具有至少1.0原子百分比磷。 27.如请求项24之方法,其在形成该包含磷掺杂二氧 化矽层中,至少于提供该羟基化表面后,不将除该 等第一及第二汽相反应物以外的任何汽相反应物 引入该室。 28.如请求项23之方法,其包含引入不同于该等第一 及第二汽相反应物之另一汽相反应物,其在至少一 些该等重复化学吸附及接触中间。 29.如请求项28之方法,其中该另一汽相反应物系包 含氧。 30.如请求项29之方法,其中该另一汽相反应物包含O 3。 31.如请求项28之方法,其中该另一汽相反应物系包 含硼,该包含磷掺杂二氧化矽层包含硼。 32.如请求项23之方法,其中该PO(OR)3的R烃基仅包含 一至五个碳原子。 33.如请求项23之方法,其中该Si(OR)3 OH的R烃基仅包 含一至五个碳原子。 34.如请求项23之方法,其中该PO(OR)3包含磷酸三乙酯 。 35.如请求项23之方法,其中该Si(OR)3 OH包含三(叔丁 氧基)矽烷醇。 36.如请求项23之方法,其中该PO(OR)3包含磷酸三乙酯 ,且其中该Si(OR)3OH包含三(叔丁氧基)矽烷醇。 37.如请求项23之方法,其包含在该等重复化学吸附 及接触中间,以惰性气体冲洗该室。 38.如请求项23之方法,其中在形成该包含磷掺杂二 氧化矽层中,该基板上无铝。 39.如请求项23之方法,其中在形成该包含磷掺杂二 氧化矽层中,不引入任何汽相含铝反应物至该室。 40.如请求项23之方法,其包含沈积该包含磷掺杂二 氧化矽层,其形成于该基板之半导电性材料隔离沟 渠内。 41.一种于积体电路制造中形成沟渠隔离之方法,其 包括: 在半导体基板上形成遮罩层; 透过该遮罩层将隔离沟渠蚀刻入该半导体基板之 半导电性材料中;以及 蚀刻该等隔离沟渠后,在对沈积包含磷掺杂二氧化 矽层至该等沟渠有效的复数个沈积循环中,以交替 及时间上分离脉冲将第一及第二汽相反应物引入 该室内的该基板,该等第一及第二汽相反应物之一 系PO(OR)3,其中R系烃基,该等第一及第二汽相反应物 中的另一个系Si(OR)3OH,其中R系烃基。 42.如请求项41之方法,其中该沈积系有效地填充该 等隔离沟渠。 43.如请求项41之方法,其中该沈积并不填充该等隔 离沟渠。 44.如请求项41之方法,其中该等沈积循环系有效地 在该遮罩层上沈积该包含磷掺杂二氧化矽层。 45.如请求项41之方法,其中该等沈积循环不能有效 地在该等隔离沟渠内选择性地沈积该包含磷掺杂 二氧化矽层。 46.如请求项41之方法,其中该等状况系有效地形成 具有不大于0.5原子百分比磷的该包含二氧化矽层 。 47.如请求项41之方法,其中该等状况系有效地形成 具有至少1.0原子百分比磷的该包含二氧化矽层。 48.如请求项41之方法,其在形成该包含磷掺杂二氧 化矽层中,不将除该等第一及第二汽相反应物以外 的任何汽相反应物引入该室。 49.如请求项41之方法,其包含引入不同于该等第一 及第二汽相反应物之另一汽相反应物,其在该等第 一及第二汽相反应物的至少一些该等分离脉冲中 间。 50.如请求项49之方法,其中该另一汽相反应物系包 含氧。 51.如请求项50之方法,其中该另一汽相反应物包含O 3。 52.如请求项49之方法,其中该另一汽相反应物系包 含硼,该包含磷掺杂二氧化矽层包含硼。 53.如请求项41之方法,其中该PO(OR)3包含磷酸三乙酯 。 54.如请求项41之方法,其中该Si(OR)3 OH包含三(叔丁 氧基)矽烷醇。 55.如请求项41之方法,其中该PO(OR)3包含磷酸三乙酯 ,且其中该Si(OR)3OH包含三(叔丁氧基)矽烷醇。 56.如请求项41之方法,其包含在该等分离脉冲中间, 以惰性气体冲洗该室。 57.如请求项41之方法,其中在形成该包含磷掺杂二 氧化矽层中,该基板上无铝。 58.如请求项41之方法,其中在形成该包含磷掺杂二 氧化矽层中,不引入任何汽相含铝反应物至该室。 59.如请求项1之方法,其包括形成该包含磷掺杂二 氧化矽层为均匀组成。 60.如请求项23之方法,其包括形成该包含磷掺杂二 氧化矽层为均匀组成。 61.如请求项41之方法,其包括形成该包含磷掺杂二 氧化矽层为均匀组成。 图式简单说明: 图1系根据本发明之观点的程序中半导体晶圆片段 之概略性断面图; 图2系图1所示处理步骤后图1晶圆片段之视图; 图3系图2所示处理步骤后图2晶圆片段之视图; 图4系根据本发明之观点的程序中半导体晶圆片段 之概略性断面图; 图5系图4所示处理步骤后图4晶圆片段之视图; 图6系图5所示处理步骤后图5晶圆片段之视图; 图7系图6所示处理步骤后图6晶圆片段之视图。 |
