一氧化矽烧结体及由其所成溅镀靶

摘要

以质量百分比含有20~80%使硼、磷或锑掺杂之矽粉，其余成份系一氧化矽所成原料粉末，或其余成分为一氧化矽及二氧化矽之混合物所成，此混合物中一氧化矽含量为20%以上之原料粉末予以成形之一氧化矽烧结体以及利用它所制成之溅镀靶。根据此烧结体，除确保成膜速度外，也可维持成膜后膜特性之安定性。因此防止透明塑胶透气之光学用膜、防止玻璃钠溶出或镜片表面之保护膜，均能广泛适用本氧化矽系制成之薄膜。

主权项

1.一种一氧化矽烧结体,其特征为使以质量%计,含 有20~80%掺杂有硼、磷或锑之矽粉,其余为一氧化矽 或一氧化矽与二氧化矽之混合物所成,此混合物中 一氧化矽含量为20%以上,在混合二氧化矽之情形, 二氧化矽之含量为10%以下之原料粉末予以成形,此 原料粉末之平均粒径为1~20m,烧结后之体密度95% 以上,且比电阻为8cm~410-3cm者。 2.一种一氧化矽烧结体,其特征为使以质量%计,含 有20~80%掺杂有硼、磷或锑之矽粉,其余为一氧化矽 所成之原料粉末予以充分混合成形,将所得粉体在 1000kg/cm2以上之压力加压,同时在1250~1400℃之温度 加压烧成,烧结后之体密度95%以上,上述原料粉末 之平均粒径为1~20m者。 3.一种一氧化矽烧结体,其特征为使以质量%计,含 有20~80%掺杂有硼、磷或锑之矽粉,其余为一氧化矽 或一氧化矽与二氧化矽之混合物所成,此混合物中 一氧化矽含量为20%以上之原料粉末予以充分混合 而成形,将所得粉体在100kg/cm2以上之压力加压,同 时在1250~1400℃之温度加压烧成,烧结后之体密度95% 以上,该原料粉末之平均粒径为1~20m者。 4.如申请专利范围第2或3项之一氧化矽烧结体,其 比电阻为8cm~410-3cm。 5.一种溅镀靶,其特征为由如申请专利范围第1~3项 中任一项之一氧化矽烧结体所成。 6.如申请专利范围第5项之溅镀靶,其系使用于运用 直流电源之反应性溅镀。