发明名称 凸块制程
摘要 一种凸块制程系提供一凸块转移基板,此凸块转移基板上具有一释放层,而释放层上具有多个待转移的凸块。接着提供一基材,基材上具有多个接点。之后,将凸块转移基板上的凸块压着于基材上的接点上并同时对凸块进行加热,藉由凸块与接点之间附着性优于凸块与释放层之间附着性的特性,以使得凸块转移至接底上。
申请公布号 TWI277160 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW091103242 申请日期 2002.02.25
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 唐和明;李俊哲;方仁广;黄敏龙;陈昭雄;苏清辉;翁肇甫;李永之;周钰晟;吴宗桦;陶恕
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种凸块制程,至少包括: 提供一晶圆,该晶圆上具有复数个焊垫以及一保护 层,且该些焊垫上具有一球底金属层; 提供一凸块转移基板,该凸块转移基板上具有一释 放层,且该释放层上具有复数个凸块,其中该球底 金属层与该些凸块之间的黏着性优于该释放层与 该些凸块之间的黏着性;以及 将该凸块转移基板压着于该晶圆上之后分开,以将 该些凸块由该释放层上转移至该球底金属层上。 2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该球 底金属层之材质包括金/钛钨合金。 3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该释 放层之材质包括铬金属。 4.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该释 放层之材质包括钛/钛钨合金。 5.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该凸 块转移基板包括一矽基板。 6.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些 凸块包括金凸块、锡铅凸块。 7.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该凸 块转移基板上之该些凸块的形成方法包括电镀、 网板印刷。 8.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该凸 块转移基板压着于该晶圆上的同时,更包括对该些 凸块进行加温与加压的动作。 9.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些 凸块转移至该球底金属层上之后,更包括对该些凸 块进行回焊的动作。 10.一种凸块制程,至少包括: 提供一晶圆,该晶圆上具有复数个焊垫、一保护层 以及一重配置线路结构,其中该重配置线路结构表 面上具有复数个接点,且该些接点上具有一导体层 ; 提供一凸块转移基板,该凸块转移基板上具有一释 放层,且该释放层上具有复数个凸块,其中该导体 层与该些凸块之间的黏着性优于该释放层与该些 凸块之间的黏着性;以及 将该凸块转移基板压着于该晶圆上之后分开,以将 该些凸块由该释放层上转移至该导体层上。 11.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该 重配置线路结构包括: 一重配置线路层,该重配置线路层配置于该晶圆上 并与该些焊垫电性连接; 一介电层,该介电层配置于该重配置线路层上;以 及 复数个导体柱,该些导体柱配置于该介电层中该些 导体柱的一端与该重配置线路层电性连接,而该些 导体柱的另一端外露于该介电层的表面,以作为该 些接点。 12.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该 释放层之材质包括铬金属。 13.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该 凸块转移基板包括一矽基板。 14.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该 些凸块包括金凸块、锡铅凸块。 15.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该 凸块转移基板上之该些凸块的形成方法包括电镀 、网板印刷。 16.如申请专范围第10项所述之凸块制程,其中该凸 块转移基板压着于该晶圆上的同时,更包括对该些 凸块进行加温与加压的动作。 17.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该 些凸块转移至该导体层上之后,更包括对该些凸块 进行回焊的动作。 18.一种凸块制程,至少包括: 提供一基材,该基材上具有复数个接点; 提供一凸块转移基板,该凸块转移基板上具有一释 放层,且该释放层上具有复数个凸块,其中该些接 点与该些凸块之间的黏着性优于该释放层与该些 凸块之间的黏着性;以及 将该凸块转移基板压着于该基板上之后分开,以将 该些凸块由该释放层上转移至该些接点上。 19.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 基材包括一晶圆、一印刷电路板、一承载器。 20.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 凸块转移基板包括一矽基板。 21.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 些凸块包括金凸块、锡铅凸块。 22.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 些凸块的形成方法包括电镀、网板印刷。 23.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 释放层之材质包括铬金属。 24.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 释放层之材质包括钛/钛钨合金。 25.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 凸块转移基板压着于该基材上的同时,更包括对该 些凸块进行加温与加压。 26.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中该 些凸块转移至该些接点上之后,更包括对该些凸块 进行回焊。 图式简单说明: 第1图至第4图绘示为习知凸块制程的流程示意图; 第5图、第8图至第10图绘示为依照本发明一较佳实 施例凸块制程的流程示意图;以及 第6图与第7图绘示为依照本发明一较佳实施例晶 圆的剖面示意图。
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路26号