| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含: 半导体元件; 形成于上述半导体元件上之电极垫;及 导电连接于前述电极垫之凸块电极;其中, 前述凸块电极包含: 形成于前述半导体元件之主动面上之树脂突起;及 从前述电极垫至前述树脂突起之表面所配设之导 电膜;其中 前述导电膜与前述树脂突起系以非密着之方式所 配置。 2.如请求项1之半导体装置,其中前述导电膜与前述 树脂突起之间形成有空隙。 3.如请求项1之半导体装置,其中前述导电膜系利用 与前述树脂突起非密着之金属所形成。 4.如请求项3之半导体装置,其中前述导电膜系利用 与前述树脂突起非密着之贵金属所形成。 5.如请求项3之半导体装置,其中前述导电膜包含金 或铜。 6.如请求项1之半导体装置,其中前述导电膜系从前 述电极垫起隔着前述树脂突起延续设置至相反侧 为止,且于前述相反侧与前述主动面密着。 7.如请求项1之半导体装置,其中复数之前述电极垫 系整列配置于前述主动面,且形成有沿着此等电极 垫之垫列连续成直线状之共用之树脂突起,而从前 述电极垫之每一个至前述共用之树脂突起之表面, 则形成有前述导电膜。 8.一种半导体装置之制造方法,该半导体装置系于 主动面上包含电极垫、及导电连接于前述电极垫 之凸块电极者,其中, 前述凸块电极之形成步骤包含: 于前述半导体元件上形成树脂突起之步骤;及 从前述电极垫至前述树脂突起之表面,于非密着于 前述树脂突起之表面之状态下形成导电膜之步骤 。 9.如请求项8之半导体装置之制造方法,其中从前述 电极垫起隔着前述树脂突起延续设置前述导电膜 至相反侧为止,且使前述导电膜之隔着前述树脂突 起之两侧之端部密着于前述主动面。 10.如请求项8之半导体装置之制造方法,其中前述 导电膜之形成步骤包含: 于前述导电膜与前述树脂突起之间形成牺牲层之 步骤;及 除去前述树脂突起之表面之前述牺牲层,而于前述 导电膜与前述树脂突起之间形成空隙之步骤。 11.如请求项10之半导体装置之制造方法,其中前述 牺牲层之除去步骤系利用前述主动面之表面及前 述树脂突起之表面之前述牺牲层之蚀刻率之差异, 一边留下前述主动面之表面之前述牺牲层,一边藉 由蚀刻而除去前述树脂突起之表面之前述牺牲层 之步骤。 12.如请求项11之半导体装置之制造方法,其中前述 主动面系利用无机材料所构成。 13.如请求项10之半导体装置之制造方法,其中前述 导电膜系以前述牺牲层做为籽晶层,利用电镀法所 形成。 14.如请求项8之半导体装置之制造方法,其中前述 导电膜之形成步骤包含藉由将包含贵金属之前述 导电膜加以蒸镀或是溅射,以形成与前述树脂突起 非密着之前述导电膜之步骤。 15.如请求项14之半导体装置之制造方法,其中前述 导电膜包含金或是铜。 16.如请求项8之半导体装置之制造方法,其中复数 之前述电极垫系整列配置于前述主动面; 前述树脂突起之形成步骤,包含形成沿着前述复数 之电极垫之垫列连续成直线状之共用之树脂突起 之步骤,且 前述导电膜之形成步骤,包含从前述复数之电极垫 之每一个至前述共用之树脂突起之表面形成前述 导电膜之步骤。 17.如请求项16之半导体装置之制造方法,其包含切 断前述树脂突起,按照前述电极垫将前述凸块电极 加以分离之步骤。 18.一种电路板,其系安装有如请求项1之半导体装 置者,其中, 前述半导体装置系经由配设于前述树脂突起之表 面之前述导电膜,而导电连接于前述电路板之电极 端子。 19.如请求项18之电路板,其中前述树脂突起系弹性 变形,而前述导电膜系以面接触于前述电路板,且 于前述半导体装置与前述电极端子之导电接触部 份之周围充填有密封树脂,前述半导体装置与前述 电极端子受到保持。 20.一种光电装置,其包含如请求项1之半导体装置 。 21.一种光电装置,其包含如请求项18之电路板。 22.一种电子机器,其包含如请求项18之电路板。 23.一种电子机器,其包含如请求项20之光电装置。 24.一种电子机器,其包含如请求项21之光电装置。 图式简单说明: 图1系揭示光电装置之一实施型态之液晶显示装置 之模型图。 图2系液晶显示装置之半导体装置之安装构造之说 明图。 图3系关于第1实施型态之半导体装置之立体图。 图4A系第1实施型态之半导体装置之端子部份之扩 大平面图,图4B系沿着图4A之A-A线之剖面图。 图5A至图5D系用于说明第1实施型态之半导体装置 之制造方法之步骤图。 图6系关于第2实施型态之半导体装置之端子部份 之扩大图。 图7系揭示电子机器之一实例之立体图。 图8系过去之树脂凸块电极之模型图。 |
