| 主权项 |
1.一种使用于制造光亮显示器之材料,其包含: -玻璃或玻璃陶瓷基板, -沉积于基板一侧之第一层,其由至少一种透明导 电性氧化物所构成,该层称为第一导电性氧化物( TCO)层, -沉积在第一TCO上之第二层,其由至少一层透明导 电性氧化物所构成,该层称为第二TCO层, 两层TCO层将使得: -第一TCO层具有超过1nm粗糙度以及第二TCO层粗糙度 为小于或等于1nm, -第二TCO层之工作作用电压大于第一TCO层之工作作 用电压性以及大于4.6电子伏特;以及 -在可见光范围内材料之透射度为至少80%。 2.依据申请专利范围第1项之材料,其中第二TCO层工 作作用电压为大于4.8eV。 3.依据申请专利范围第1项之材料,其中两层TCO层包 含至少一种氧化物,为单一或混合氧化物形式,或 至少一种由锡,锌,铟及镉选取出金属之氧化物混 合物,可混合至少一种由镓,锑,氟,铝,镁及锌选取 出之元素,该元素进入混合氧化物或氧化物混合物 之组成份内或作为氧化物之掺杂剂。 4.依据申请专利范围第1项之材料,其中第一TCO层包 含下列主要成份: -掺杂锡之氧化铟(In2O3:Sn),亦称为ITO, -掺杂氟之氧化锡(SnO2:F), -掺杂铝之氧化锌(ZnO:Al), -掺杂锑之氧化锡(SnO2:Sb)。 5.依据申请专利范围第3项之材料,其中两层TCO层包 含至少一种氧化物,其由下列种类选取出: -SnO2 -SnO2:F -SnO2:Sb -In4Sn3O12 -Zn2In2O5 -ZnSnO3 -Zn2SnO4 -GaInO3 -MgIn2O4。 6.依据申请专利范围第3项之材料,其中第二TCO层为 一层掺杂锑之氧化锡(ATO),SnO2:Sb。 7.依据申请专利范围第1项之材料,其中第二TCO层厚 度为在30及200nm之间。 8.依据申请专利范围第7项之材料,其中第二TCO层厚 度为在50及150nm之间。 9.依据申请专利范围第7项之材料,其中基板厚度在 0.1与0.3mm之间。 10.一种发光显示器装置,其包含阳极及阴极,其阳 极侧包含一层申请专利范围第1项之材料。 11.依据申请专利范围第10项之发光显示器装置,其 中装置为有机发射光线二极体(OLED),在阳极侧包含 涂覆至少一种发射光线层之材料夹于该材料第二 TCO层以及金属阴极之间。 12.一种制造使用于光亮显示器装置中材料之处理 过程,该处理过程包含: 沉积由掺杂锑之氧化锡(ATO)所构成之第二TCO层于 由先前沉积出ITO材料所构成第一TCO上玻璃或玻璃 陶瓷基板上,其中第二TCO藉由溶胶一胶凝处理过程 沉积出。 13.依据申请专利范围第12项之处理过程,其中处理 过程亦包含第二TCO层之热固结步骤。 14.依据申请专利范围第12项之处理过程,其中沉积 第一TCO层藉由真空喷涂处理过程或化学汽相沉积 法进行。 图式简单说明: 第一图为示意性地显示出本发明材料构造图。附 图并不按照比例。 第二图为包含本发明材料之OLED装置。 |
