发明名称 造成半导体元件磁性敏感的磁屏蔽护罩
摘要 本发明的一实施例是,一磁屏蔽护罩元件,系用以保护在基板上至少一个的磁性敏感部份。这个元件包含,一具有一顶部部份和一或多个周边部份的第一护罩,其中此顶部和周边部份沿着基板包围磁性敏感部份,是为了保护此部份不受外界磁场影响,其中磁屏蔽护罩元件包含至少两个磁场屏障材料,一个有着相对较高的导磁性但较低的磁场饱和特性,而另一个有着相对较低的导磁性但较高的磁场饱和特性。
申请公布号 TWI277193 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW094142160 申请日期 2005.11.30
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王昭雄;曾鸿辉;邓端理
分类号 H01L23/552(2006.01);H01L23/28(2006.01);G11C11/15(2006.01) 主分类号 H01L23/552(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种磁屏蔽护罩元件,系用以保护在基板上之至 少一磁性敏感部份,该元件至少包含: 一第一护罩具有一顶部部份和一或多个周边部份, 其中该顶部部份和该周边部份延着该基板四周包 围该磁性敏感部份藉以保护该磁性敏感部份不受 外部磁场的影响;以及 其中该磁屏蔽护罩元件至少包含了两个磁性屏蔽 材料,其中一个有着相对较高的导磁性但较低的磁 场饱和特性,另一个有相对较低导磁性但较高的磁 场饱和特性。 2.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该磁性敏 感部份是可随机存取的记忆体元件。 3.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该磁性屏 蔽材料具有一从40nm到1500nm大小的粒子。 4.如申请专利范围第3项所述之元件,其中该两个磁 性屏蔽材料有两个不同的大小之粒子。 5.如申请专利范围第1项所述之元件,更包含了围绕 着第一护罩的第二护罩。 6.如申请专利范围第5项所述之元件,其中该第二护 罩比第一护罩有一较高之磁场饱和特性。 7.如申请专利范围第6项所述之元件,其中该第二护 罩比第一护罩有一较低的导磁性。 8.如申请专利范围第5项所述之元件,更包含位于该 第一和该第二护罩间的一磁惰性层。 9.如申请专利范围第5项所述之元件,其中该第一护 罩和该第二护罩层提供了大约10~50dB之磁性屏蔽因 子。 10.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该第一 护罩提供了10~50dB之磁性屏蔽因子。 11.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该第一 护罩有着有着0.12 um到12um的厚度。 12.如申请专利范围第1项所述之元件,更包含在该 第一护罩和磁性敏感部份间之一非磁性护罩材料 。 13.一种磁性屏蔽元件,为了保护在基板上至少一个 的磁性敏感部份,该元件包含: 一第一护罩,具有一顶部部份和一或多个周边部份 ,其中该顶部部份和该周边部份延着该基板四周包 围该磁性敏感部份藉以保护该磁性敏感部份不受 外部磁场的影响; 第二护罩,具有一顶部部份和一或多个周边部份藉 以包围第一护罩;以及 第一护罩和第二护罩间之一非磁性屏蔽材料。 14.如申请专利范围第13项所述之元件,其中该第二 护罩具有相对较高的导磁性但相对较低的磁场饱 和特性,而该第一护罩具有相对较低导磁性但较高 的磁场饱和特性。 15.如申请专利范围第13项所述之元件,其中该磁性 敏感部份是一磁性随机存取记忆体元件。 16.如申请专利范围第13项所述之元件,其中该第一 及该第二护罩总厚度范围由0.12um到12um。 17.如申请专利范围第13项所述之元件,更包含在该 第一护罩和磁性敏感部份间之一非磁性护罩材料 。 18.一种磁屏蔽护罩元件,为保护在基板上至少一磁 性敏感部份,该元件包含: 一护罩具有顶部部份和一或多个周边部份,其中该 顶部部份和该周边部份延着该基板四周包围该磁 性敏感部份藉以保护该磁性敏感部份不受外部磁 场的影响;以及 其中该磁屏蔽护罩元件至少包含两个磁性部份,其 中一个具有相对较高的导磁性但较低的磁场饱和 特性,而另一个是具有相对性较低的导磁性但较高 的磁场饱和特性, 其中该护罩提供了大约10至50dB之磁性屏蔽因子,且 其中该磁性屏蔽材料具有40nm到1500nm大小的粒子。 19.如申请专利范围第18项所述之元件,其中该两个 磁屏蔽护罩部份具有两个不同的大小。 20.如申请专利范围第18项所述之元件,更包含在该 护罩和磁性敏感部份间之一非磁性护罩材料。 图式简单说明: 第1图所示为一磁屏蔽护罩。 第2图到第5图描述了本发明的四个实施例和其所 对应的磁场敏感半导体晶片之磁屏蔽护罩。 第6图描述了本发明在使用不同磁性合金,它的磁 场饱和特性与导磁性。 第7图描述了粒子大小不同磁性合金的导磁性。
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