发明名称 调谐器用输入电路及半导体装置
摘要 本发明之调谐器用输入电路,具有供应第一高频信号的第一输入端子及供应第二高频信号的第二输入端子,包含变换器:包含第一局部振荡电路:产生将前述第一及第二高频信号变换成第一中间频率信号之际使用的第一局部信号;及,第一混频器;混合前述第一局部信号、前述第一高频信号及前述第二高频信号而产生前述第一中间频率信号,及,后级电路:处理前述第一中间频率信号。
申请公布号 TWI277300 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW091123443 申请日期 2002.10.11
申请人 东芝股份有限公司 发明人 市村 和也
分类号 H03K3/00(2006.01);G01H7/00(2006.01) 主分类号 H03K3/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种调谐器用输入电路,其特征在于:其系具有被 供应有高频信号的第一输入端子、及用于接地到 外部接地电容的第二输入端子者;其包含: 变换器,其包含:第一局部振荡电路,其产生将前述 高频信号变换成第一中间频率信号时所使用的第 一局部信号;及第一混频器,其混合前述第一局部 信号及前述高频信号而产生前述第一中间频率信 号;及 后级电路,其处理前述第一中间频率信号。 2.如申请专利范围第1项之调谐器用输入电路,其中 前述后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生检测前述第一中间频率 信号时所使用的第二局部信号;及 检波电路,其混合前述第二局部信号和前述第一中 间频率信号而检测前述第一中间频率信号。 3.如申请专利范围第1项之调谐器用输入电路,其中 前述后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生将前述第一中间频率信 号变换成第二中间频率信号时所使用的第二局部 信号;及 第二混频器,其混合前述第二局部信号和前述第一 中间频率信号而产生前述第二中间频率信号。 4.如申请专利范围第1项之调谐器用输入电路,其中 更包含锁相环路电路,其控制前述第一局部信号的 频率。 5.如申请专利范围第1项之调谐器用输入电路,其中 更包含频带限制过滤器,其只使一定的频带通过。 6.一种调谐器用输入电路,其特征在于:其系具有被 供应有高频信号的第一输入端子、及在半导体晶 片外部交流接地的第二输入端子者;其包含: 变换器,其包含:第一局部振荡电路,其产生将前述 高频信号变换成第一中间频率信号时所使用的第 一局部信号;及第一混频器,其混合前述第一局部 信号和前述高频信号而产生前述第一中间频率信 号;及 后级电路,其处理前述第一中间频率信号。 7.如申请专利范围第6项之调谐器用输入电路,其中 前述后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生检测前述第一中间频率 信号时所使用的第二局部信号;及 检波电路,其混合前述第二局部信号和前述第一中 间频率信号而检测前述第一中间频率信号。 8.如申请专利范围第6项之调谐器用输入电路,其中 前述后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生将前述第一中间频率信 号变换成第二中间频率信号时所使用的第二局部 信号;及 第二混频器,其混合前述第二局部信号和前述第一 中间频率信号而产生前述第二中间频率信号。 9.如申请专利范围第6项之调谐器用输入电路,其中 更包含锁相环路电路,其控制前述第一局部信号的 频率。 10.如申请专利范围第6项之调谐器用输入电路,其 中更包含频带限制过滤器,其只使一定的频带通过 。 11.一种半导体装置,其特征在于:其系具有配置于 半导体晶片上,被供应有高频信号的第一输入端子 、及用于接地到外部接地电容的第二输入端子者; 其包含: 前述半导体晶片; 变换器,其配置于前述半导体晶片上,包含:第一局 部振荡电路,其产生将前述高频信号变换成第一中 间频率信号时所使用的第一局部信号;及第一混频 器,其混合前述第一局部信号及前述高频信号而产 生前述第一中间频率信号;及 后级电路,其配置于前述半导体晶片上,处理前述 第一中间频率信号。 12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中前述 后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生检测前述第一中间频率 信号时所使用的第二局部信号;及 检波电路,其混合前述第二局部信号和前述第一中 间频率信号而检测前述第一中间频率信号。 13.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中前述 后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生将前述第一中间频率信 号变换成第二中间频率信号时所使用的第二局部 信号;及 第二混频器,其混合前述第二局部信号和前述第一 中间频率信号而产生前述第二中间频率信号。 14.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中更包 含锁相环路电路,其配置于前述半导体晶片上,控 制前述第一局部信号的频率。 15.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中更包 含频带限制过滤器,其只使一定的频带通过。 16.一种半导体装置,其特征在于:其系具有配置于 半导体晶片上,被供应有高频信号的第一输入端子 、及在前述半导体晶片外部交流接地的第二输入 端子者:其包含: 前述半导体晶片; 变换器,其配置于前述半导体晶片上,包含:第一局 部振荡电路,其产生将前述高频信号变换成第一中 间频率信号时所使用的第一局部信号;及第一混频 器,其混合前述第一局部信号和前述高频信号而产 生前述第一中间频率信号;及 后级电路,其配置于前述半导体晶片上,处理前述 第一中间频率信号。 17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中前述 后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生检测前述第一中间频率 信号时所使用的第二局部信号;及 检波电路,其混合前述第二局部信号和前述第一中 间频率信号而检测前述第一中间频率信号。 18.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中前述 后级电路包含: 第二局部振荡电路,其产生将前述第一中间频率信 号变换成第二中间频率信号时所使用的第二局部 信号;及 第二混频器,其混合前述第二局部信号和前述第一 中间频率信号而产生前述第二中间频率信号。 19.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中更包 含锁相环路电路,其配置于前述半导体晶片上,控 制前述第一局部信号的频率。 20.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中更包 含频带限制过滤器,其只使一定的频带通过。 图式简单说明: 图1为显示使用外差检波方式的调谐器用输入电路 一例的方块图。 图2为显示图1所示的变换器和后级电路形成于同 一半导体晶片上的调谐器用输入电路的方块图。 图3为显示关于本发明实施例的调谐器用输入电路 的方块图。 图4为显示关于本发明实施例第一变形例的调谐器 用输入电路的方块图。 图5为显示关于本发明实施例第二变形例的调谐器 用输入电路的方块图。
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