| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,包括: 提供一基板; 于该基板上形成一图案化多晶矽层; 于该图案化多晶矽层与该基板上形成一金属层; 移除部分该金属层,以留下位于该图案化多晶矽层 两侧的该金属层,以形成一源极与一汲极; 于该基板上形成一闸绝缘层,覆盖该源极、该汲极 与该图案化多晶矽层; 于该闸绝缘层上形成一闸极; 于该基板上形成一第一介电层,覆盖该闸绝缘层与 该闸极; 于该第一介电层与该闸绝缘层中形成一第一接触 窗开口与一第二接触窗开口,以分别暴露出该源极 与该汲极;以及 于该第一介电层上形成一第一金属接触层以及一 第二金属接触层,且该第一金属接触层以及该第二 金属接触层填入该第一接触窗开口与该第二接触 窗开口,而与该源极以及该汲极电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造 方法,更包括于该图案化多晶矽层与该源极及该汲 极之间形成一经掺杂之侧护壁。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造 方法,其中移除部分该金属层以留下位于该图案化 多晶矽两侧的该金属层之方法包括进行一微影制 程以及一蚀刻制程。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造 方法,其中移除部分该金属层以留下位于该图案化 多晶矽两侧的该金属层之方法包括先进行一化学 机械研磨制程,再进行一微影制程以及一蚀刻制程 。 5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造 方法,其中该金属层之材料包括铝、铜、铬、银或 钼。 6.一种画素结构的制造方法,包括: 提供一基板; 于该基板上形成一图案化多晶矽层; 于该图案化多晶矽层与该基板上形成一金属层; 移除部分该金属层,以留下位于该图案化多晶矽层 两侧的该金属层,以形成一源极、一汲极以及一与 该源极电性连接的资料线; 于该基板上形成一闸绝缘层,覆盖该资料线、该源 极、该汲极与该图案化多晶矽层; 于该闸绝缘层上形成一闸极以及与该闸极电性连 接的一扫瞄线; 于该基板上形成一第一介电层,覆盖该闸极与该扫 瞄线; 于该第一介电层与该闸绝缘层中形成一接触窗开 口,暴露出该汲极;以及 于该第一介电层上形成一画素电极,且该画素电极 填入该接触窗开口而与该汲极电性连接。 7.如申请专利范围第6项所述之画素结构之制造方 法,更包括于该图案化多晶矽层与该源极及该汲极 之间形成一经掺杂之侧护壁。 8.如申请专利范围第6项所述之画素结构之制造方 法,其中移除部分该金属层以留下位于该图案化多 晶矽两侧的该金属层之方法包括进行一微影制程 以及一蚀刻制程。 9.如申请专利范围第6项所述之画素结构之制造方 法,其中移除部分该金属层以留下位于该图案化多 晶矽两侧的该金属层之方法包括先进行一化学机 械研磨制程,再进行一微影制程以及一蚀刻制程。 10.一种画素结构的制造方法,包括: 提供一基板; 于该基板上形成一图案化多晶矽层; 于该图案化多晶矽层与该基板上形成一金属层; 移除部分该金属层,以留下位于该图案化多晶矽层 两侧的该金属层,以形成一源极、一汲极以及与该 源极电性连接的一资料线; 于该基板形成一闸绝缘层,覆盖该源极、该汲极与 该图案化多晶矽层; 于该闸绝缘层上形成一闸极,并形成与该闸极电性 连接的一扫瞄线; 于该基板上形成一第一介电层,覆盖该闸极与该扫 瞄线; 于该第一介电层与该闸绝缘层中形成一第一接触 窗开口与一第二接触窗开口,以分别暴露出该源极 与该汲极;以及 于该第一介电层上形成一第一金属接触层、一第 二金属接触层,且该第一金属接触层以及该第二金 属接触层填入该第一接触窗开口与该第二接触窗 开口,而分别与该源极以及该汲极电性连接; 于该第一介电层上形成一第二介电层,覆盖该第一 金属接触层与该第二金属接触层; 于该第二介电层中形成第三接触窗开口,暴露出该 第二金属接触层;以及 于该第二介电层上形成一画素电极,且该画素电极 填入该第三接触窗开口而与该第二金属接触层电 性连接。 11.如申请专利范围第10项所述之画素结构之制造 方法,更包括于该图案化多晶矽层与该源极及该汲 极之间形成一经掺杂之侧护壁。 12.如申请专利范围第10项所述之画素结构之制造 方法,其中移除部分该金属层以留下位于该图案化 多晶矽两侧的该金属层之方法包括进行一微影制 程以及一蚀刻制程。 13.如申请专利范围第10项所述之画素结构之制造 方法,其中移除部分该金属层以留下位于该图案化 多晶矽两侧的该金属层之方法包括先进行一化学 机械研磨制程,再进行一微影制程以及一蚀刻制程 。 14.一种薄膜电晶体,包括: 一图案化多晶矽层,配置于一基板上; 一源极与一汲极,配置于该基板上且分别位于该图 案化多晶矽层之两侧,且该源极与该汲极为金属材 质; 一闸绝缘层,覆盖该源极、该汲极与该图案化多晶 矽层; 一闸极,配置于该图案化多晶矽层上方的该闸绝缘 层上; 一第一介电层,覆盖该闸极与该闸绝缘层; 一第一接触窗与一第二接触窗,位于该第一介电层 中,并分别与该源极与该汲极电性连接;以及 一第一金属接触层以及一第二金属接触层,配置于 该第一介电层上,经由该第一接触窗与该第二接触 窗,分别与该源极与该汲极电性连接。 15.如申请专利范围第14项所述之薄膜电晶体,更包 括一经掺杂的侧护壁,配置于该图案化多晶矽层与 该源极及该汲极之间。 16.如申请专利范围第14项所述之薄膜电晶体,其中 构成该源极与该汲极的该金属材质包括铝、铜、 铬、银或钼。 17.一种画素结构,包括: 一图案化多晶矽层,配置于一基板上; 一源极与一汲极,配置于该基板上并分别位于该图 案化多晶矽层之两侧,且该源极与该汲极为金属材 质; 一资料线,配置于该基板上并且与该源极电性连接 ; 一闸绝缘层,配置于该资料线、该源极、该汲极与 该图案化多晶矽层上; 一闸极,配置于该图案化多晶矽层上方的该闸绝缘 层上; 一扫瞄线,配置于该闸绝缘层上并与该闸极电性连 接; 一第一介电层,覆盖于该闸极与该扫瞄线上;以及 一画素电极,配置于该第一介电层上,且该画素电 极会与该汲极电性连接。 18.如申请专利范围第17项所述之画素结构,更包括 一经掺杂之侧护壁,配置于该图案化多晶矽层与该 源极及该汲极之间。 19.一种画素结构,包括: 一图案化多晶矽层,配置于该基板上; 一源极与一汲极,配置于该基板上并位于该图案化 多晶矽层之两侧,且该源极与该汲极为金属材质; 一资料线,配置于该基板上并与该源极电性连接; 一闸绝缘层,覆盖该源极、该汲极与该图案化多晶 矽层上; 一闸极,配置于该闸绝缘层上; 一扫瞄线,配置于该闸绝缘层上并与该闸极电性连 接; 一第一介电层,配置于该闸极与该扫瞄线上; 一第一金属接触层与一第二金属接触层,配置于第 一介电层上且分别与该源极以及该汲极电性连接; 一第二介电层,配置于该第一介电层上,并覆盖该 第一金属接触层与该第二金属接触层;以及 一画素电极,配置于该第二介电层上,且该画素电 极会与该第二金属接触层电性连接。 20.如申请专利范围第19项所述之画素结构,更包括 一经掺杂之侧护壁,配置于该图案化多晶矽层与该 源极及该汲极之间。 图式简单说明: 图1绘示为习知薄膜电晶体的剖面图。 图2绘示为本发明第一实施例画素结构之示意图。 图3A-3L绘示为本发明第一实施例之画素结构制造 流程示意图。 图4A-4B绘示为移除部分金属层以留下位于图案化 多晶矽层两侧的金属层之流程示意图。 图5A-5C绘示为另一种移除部分金属层以留下位于 图案化多晶矽层两侧的金属层之流程示意图。 图6绘示为本发明第二实施例之画素结构示意图。 图7A-7C绘示为本发明第二实施例之画素结构部分 制造流程示意图。 |
