| 主权项 |
1.一种双闸极氧化物高压半导体装置,包括: - 一埋藏式氧化层,其在一半导体基板上形成; - 一矽层,其在埋藏式氧化层上形成; - 一上氧化层,其在矽层上形成; - 一第一闸极氧化物,其在邻近上氧化层之矽层上 形成;及 - 一第二闸极氧化物,其在第一闸极氧化物之一部 分上形成。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中矽层包括一源 极区、一本体区,及一漂移区。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中在漂移区、本 体区及源极区上形成第一闸极氧化物。 4.如申请专利范围第2或3项之装置,其中在第一闸 极氧化物上,介于上氧化层与本体区之间,形成第 二闸极氧化物。 5.如申请专利范围第1、2或3项之装置,尚包括一场 板,其在上氧化层、第一闸极氧化物,及第二闸极 氧化物上形成。 6.如申请专利范围第1、2或3项之装置,其中第一闸 极氧化物具有约300-600A范围内之厚度,及其中第二 闸极氧化物具有约900-1200A范围内之厚度。 7.如申请专利范围第1、2或3项之装置,其中第一闸 极氧化物具有约3-4m范围内之长度,及其中第二 闸极氧化物具有约1-2m范围内之长度。 8.如前述申请专利范围第1、2或3项之装置,其中第 二闸极氧化物约1200A之厚度造成一最大可容许电 荷约增加1e12cm-2至约2e12cm-2,及其中该装置之特定 导通电阻约降低30%。 9.一种用以形成双闸极氧化物高压半专体装置之 方法,包括: - 在一半导体基板上形成一埋藏式氧化层; - 在埋藏式氧化层上形成一矽层; - 在矽层上形成一上氧化层; - 在邻近上氧化层之矽层上形成一第一闸极氧化 物;及 -在第一闸极氧化物上形成第二闸极氧化物。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中形成第一闸 极氧化物及形成第二闸极氧化物包括: - 在邻近上氧化层之矽层上生长第一闸极氧化物; - 在第一闸极氧化物上施加一罩幕;及 - 在第一闸极氧化物之一部分上生长第二闸极氧 化物。 11.如申请专利范围第9或10项之方法,其中形成第一 闸极氧化物包括在埋藏式氧化层上形成一矽层,其 具有一源极区、一本体区,及一漂移区。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中形成第一闸 极氧化物包括在漂移区、本体区,及源极区上形成 一第一闸极氧化物。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中形成第二闸 极氧化物包括在第一闸极氧化物上,介于上氧化层 与本体区之间,形成一第二闸极氧化物。 14.如申请专利范围第9或10项之方法,尚包括: - 增加装置之最大可容许电荷,从约1e12cm-2至约2e12 cm-2;及 - 减少装置之特定导通电阻约30%。 15.如申请专利范围第9或10项之方法,其中形成第一 闸极氧化物及形成第二闸极氧化物包括: - 在邻近上氧化层之矽层上形成厚度范围约300-600A 之第一闸极氧化物; - 在第一闸极氧化物上形成厚度范围约900-1200A之 第二闸极氧化物。 16.如申请专利范围第9或10项之方法,尚包括在上氧 化层、第一闸极氧化物,及第二闸极氧化物上形成 一场板。 图式简单说明: 图1说明相关技艺半导体装置; 图2以放大图说明图1的装置;及 图3根据本发明一实例,以放大图说明具双闸极氧 化物的半导体装置。 |
