| 主权项 |
1.一种形成高密度电浆化学气相沉积之前金属介 电层的方法,至少包含: 提供一半导体基材,该半导体基材上至少包含至少 二半导体结构且该些半导体结构由一间隙分开;以 及 在不施加一吸附偏压以夹持该半导体基材下,根据 一高密度电浆化学气相沉积制程,施加一射频偏压 以控制该半导体基材之一沉积温度,形成一前金属 介电层于该些半导体结构上。 2.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该射频偏 压之一施加程度实质上系少于1500瓦。 3.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该射频偏 压之一施加程度实质上系少于1000瓦。 4.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中形成该前 金属介电层之步骤至少包含一多层沉积制程。 5.如申请专利范围第4项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中一第一前 金属介电部分系沉积较高于较该些半导体结构,且 随后沉积一第二前金属介电部分。 6.如申请专利范围第5项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该第一前 金属介电部分系以低于该第二前金属介电部分一 沉积/溅镀(Deposition/Sputter;D/S)比、高于该第二前金 属介电部分之一射频偏压电力、高于该第二前金 属介电部分之一温度或上述之组合进行沉积。 7.如申请专利范围第5项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该第一前 金属介电部分系以高于该第二前金属介电部分一 沉积温度进行沉积。 8.如申请专利范围第5项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该第一前 金属介电部分系以低于该第二前金属介电部分一 射频偏压进行沉积。 9.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该前金属 介电层系选自于由磷矽玻璃(PSG)、硼磷矽玻璃(BPSG )以及未掺杂矽玻璃(USG)所组成之一族群。 10.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该前金属 介电层至少包含磷矽玻璃。 11.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该些半导 体结构至少包含复数个互补式金氧半导体( Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)电晶体。 12.如申请专利范围第1项所述之形成高密度电浆化 学气相沉积之前金属介电层的方法,更至少包含形 成一介电层以覆盖该些半导体结构。 13.如申请专利范围第12项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该介电 层至少包含形成具有一应力之一接触蚀刻终止层, 且该应力系选自于由压缩力及伸长力所组成之一 族群。 14.一种形成高密度电浆化学气相沉积之前金属介 电层的方法,系用以减少电浆伤害及/或优先溅镀, 至少包含: 提供一半导体基材,该半导体基材上至少包含复数 个互补式金氧半导体电晶体结构;以及 根据一高密度电浆化学气相沉积制程,形成一前金 属介电层于该些互补式金氧半导体电晶体结构上, 其中在未对该半导体基材施加一吸附偏压下,系施 加一射频偏压以控制该半导体基材之一沉积温度 。 15.如申请专利范围第14项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该射频 偏压之一施加程度实质上系少于1500瓦。 16.如申请专利范围第14项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该射频 偏压之一施加程度实质上系少于1000瓦。 17.如申请专利范围第14项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中形成该 前金属介电层之步骤至少包含一多层沉积制程。 18.如申请专利范围第17项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中一第一 前金属介电部分系沉积较高于较该些半导体结构, 且随后沉积一第二前金属介电部分。 19.如申请专利范围第17项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该第一 前金属介电部分系以低于该第二前金属介电部分 一沉积/溅镀比、高于该第二前金属介电部分之一 射频偏压电力、高于该第二前金属介电部分之一 温度或上述之组合进行沉积。 20.如申请专利范围第17项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该第一 前金属介电部分系以高于该第二前金属介电部分 一沉积温度进行沉积。 21.如申请专利范围第17项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该第一 前金属介电部分系以低于该第二前金属介电部分 一射频偏压进行沉积。 22.如申请专利范围第14项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该前金 属介电层系选自于由磷矽玻璃、硼磷矽玻璃以及 未掺杂矽玻璃所组成之一族群。 23.如申请专利范围第14项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该前金 属介电层至少包含磷矽玻璃。 24.如申请专利范围第14项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,更至少包含 形成一接触蚀刻终止层以覆盖该些互补式金氧半 导体电晶体结构。 25.如申请专利范围第24项所述之形成高密度电浆 化学气相沉积之前金属介电层的方法,其中该接触 蚀刻终止层具有一应力,且该应力系选自于由压缩 力及伸长力所组成之一族群。 图式简单说明: 第1A图至第1D图系绘示根据本发明一较佳实施例包 括CMOS元件之半导体制程晶圆在各制程阶段的部分 剖面侧视图; 第2图系绘示用来进行本发明一较佳实施例之高密 度电浆化学气相沉积反应室之示意概图;以及 第3图系显示本发明数个实施例之制程流程图。 |
