发明名称 制造极高紫外线光石版印刷基质之方法
摘要 一种形成极高紫外线光石版印刷大尺寸均匀玻璃物体之方法,该方法包含传输矽石前身产物至燃烧器以及传送矽石前身产物经由燃烧器火焰以形成矽石颗粒,沉积矽石颗粒于平面性表面上以形成平坦多孔性极高紫外线光石版印刷大尺寸之预制件以及将多孔性极高紫外线光石版印刷大尺寸之预制件固结为平坦密实极高紫外线光石版印刷大尺寸均匀之玻璃物体。
申请公布号 TWI276612 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW091109111 申请日期 2002.04.27
申请人 康宁公司 发明人 肯尼埃德哈迪纳;尼基乔鲁色;米其亨力瓦来司基
分类号 C03B8/04(2006.01);C03B19/06(2006.01) 主分类号 C03B8/04(2006.01)
代理机构 代理人 吴洛杰 台中市北区太原路2段215巷1弄8号
主权项 1.一种形成极高紫外线光石版印刷玻璃基质之方 法,该方法包含: 传输矽石前身产物至燃烧器以及传送矽石前身产 物经由燃烧器火焰以形成矽石颗粒; 沉积矽石颗粒于平面性表面上以形成平坦极高紫 外线光石版印刷玻璃基质预制件,其中平面性表面 之温度保持在600至900℃范围内; 将多孔性预制件脱水;以及 将多孔性预制件固结为平坦密实均匀的极高紫外 线光石版印刷玻璃基质。 2.依据申请专利范围第1项之方法,其中平面性表面 之温度保持在700至800℃范围内。 3.依据申请专利范围第1项之方法,其中密实均匀极 高紫外线光石版印刷玻璃基质具有OH含量低于1ppm 。 4.依据申请专利范围第1项之方法,其中将多孔性预 制件脱水包含将多孔性预制件暴露于加热含有卤 化物之大气以及接着将多孔性预制件冷却。 5.依据申请专利范围第4项之方法,其中加热含有卤 化物之大气的温度低于将多孔性预制件完全地固 化为密实玻璃所需要之温度。 6.依据申请专利范围第4项之方法,其中含有卤化物 之大气包含(a)氯气,或(b)氟气,或(c)氯气,及氟气之 混合物。 7.一种形成极高紫外线光石版印刷玻璃基质之方 法,该方法包含:传输矽石前身产物以及二氧化钛 前身产物之混合物至燃烧器以及传送混合物通过 燃烧器火焰以形成SiO2-TiO2颗粒; 沉积SiO2-TiO2颗粒于平面性表面上以形成平坦多孔 性预制件,同时保持平面性表面之温度在500至900℃ ;以及 将多孔性预制件固结为平坦密实均匀之极高紫外 线光石版印刷玻璃基质。 8.依据申请专利范围第7项之方法,其中平面性表面 之温度保持在700至800℃范围内。 9.依据申请专利范围第7项之方法,其中更进一步包 含在固结前将粉尘预制件脱水。 10.一种形成大的尺寸均匀熔融矽石玻璃的平板玻 璃物体之方法,该方法包含: 传输矽石前身产物至燃烧器以及传送矽石前身产 物经由燃烧器火焰以形成矽石颗粒; 沉积矽石颗粒于平面性表面上以形成平坦多孔性 预制件,其中平面性表面之温度保持在600至900℃范 围内; 将多孔性预制件脱水;以及 将多孔性预制件固结为具有大的尺寸平坦密实均 匀之熔融矽石玻璃板物体;其中大的尺寸系指尺寸 至少为25.4公分。 11.依据申请专利范围第10项之方法,其中平面性表 面之温度保持在700至800℃范围内。 12.依据申请专利范围第10项之方法,其中玻璃具有 OH含量低于1ppm。 13.依据申请专利范围第10项之方法,其中将多孔性 预制件脱水包含将多孔性预制件暴露于加热含有 卤化物之大气以及接着将多孔性预制件冷却。 14.依据申请专利范围第13项之方法,其中加热含有 卤化物之大气的温度低于将多孔性预制件完全地 固化为密实玻璃所需要之温度。 15.依据申请专利范围第13项之方法,其中含有卤化 物之大气包含(a)氯气,或(b)氟气,或(c)氯气,及氟气 之混合物。 16.一种形成低水份含量大的尺寸均匀的熔融矽石 玻璃平板玻璃物体之方法,该方法包含: 传输矽石前身产物至燃烧器以及传送矽石前身产 物经由燃烧器火焰以形成矽石颗粒; 沉积矽石颗粒于大的尺寸平面性表面上以形成大 的尺寸平坦多孔性预制件,同时保持大的尺寸平面 性表面之温度在600至900℃; 将至少为25.4公分大尺寸多孔性预制件脱水;以及 将多孔性预制件固结为具有大的尺寸以及OH低于1 ppm之平坦密实均匀之熔融矽石玻璃板物体;其中大 的尺寸系指尺寸至少为25.4公分。 17.一种制造大的尺寸均匀极高紫外线光石版印刷 玻璃物体之方法,该方法包含: 传输矽石前身产物以及二氧化钛前身产物之混合 物至燃烧器以及传送混合物经由燃烧器火焰以形 成SiO2-TiO2颗粒; 沉积SiO2-TiO2颗粒于大的尺寸平面性表面上以形成 大尺寸平坦多孔性预制件,大的尺寸平面性表面之 温度保持在600至900℃范围内;以及 将大的尺寸多孔性预制件固结为大的尺寸平坦密 实均匀之极高紫外线光石版印刷玻璃物体;其中大 的尺寸系指尺寸至少为25.4公分。 18.依据申请专利范围第17项之方法,其中大的尺寸 平面性表面之温度保持在700至800℃范围内。 19.依据申请专利范围第17项之方法,其中更进一步 包含在固结前将粉尘预制件脱水。 图式简单说明: 第一图(图1)为依据本发明实施例形成粉尘预制件 系统之示意图。 第二图(图2)为依据本发明另一项实施例形成掺杂 TiO2矽石粉尘预制件系统之示意图。
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