| 主权项 |
1.一种减少构成一核反应器构造的材料腐蚀之方 法,步骤包含: 注入含有由存在于反应器中的放射线、光和热之 至少一种的作用而产生激发电流的物质之溶液或 悬浮液或于核反应器中的状态下形成产生激发电 流的物质之金属或金属化合物; 沉积产生激发电流的物质至核反应器构造材料的 表面;且 注入氢于核反应器冷却水中,同时控制馈水中的氢 浓度,因而控制腐蚀电位。 2.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中电化学腐蚀电位被 控制在与标准氢电极相比为-0.4V至与标准氢电极 相比为-0.1V的范围内。 3.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中产生激发电流的物 质为从二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、氧化锌(ZnO )、三氧化钨(WO3)、氧化铅(PbO)、三氧化钛钡(BaTiO3) 、三氧化二铋(Bi2O3)、三氧化钛锶(SrTiO3)、三氧化 二铁(Fe2O3)、三氧化钛铁(FeTiO3)、三氧化钽钾(KTaO3) 、三氧化钛锰(MnTiO3)、二氧化锡(SnO2)和五氧化二 铌(Nb2O5)中选择的至少一化合物。 4.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中溶液或悬浮液被注 入馈水系统、反应器水净化系统的出口、主要环 状再循环系统及残热移除系统的至少其中之一。 5.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中氢被注入馈水系统 、反应器水净化系统的口、主要环状再循环系统 及残热移除系统的至少其中之一。 6.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中当核反应器启动或 当核反应器关闭时,溶液或悬浮液被注入,且核反 应器运转的同时,氢被注入。 7.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中事先附加氢至该溶 液或该悬浮液,且核反应器运转的同时,溶液或悬 浮液被注入反应器水中。 8.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中产生激发电流的物 质至核反应器构造材料表面的附着量在10g/cm2至 200g/cm2的范围内。 9.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中将注入反应器水中 之馈水中的氢浓度为零点二百万分率至一百万分 率。 10.如申请专利范围第1项所述之减少构成一核反应 器构造的材料腐蚀之方法,其中产生激发电流的物 质至核反应器构造材料表面的附着量被监视,且馈 水中的氢浓度依据附着量被控制。 11.一种减少构成一核反应器构造的材料腐蚀之方 法,步骤包含: 事先施加产生激发电流的物质和贵金属至构成核 反应器构造的材料表面;且 控制反应器水中氧化分子浓度和退化分子浓度,使 得H2/O2的摩耳数比为少于二的値,其中退化分子来 复合氧化分子之催化反应不会因贵金属加速。 12.如申请专利范围第11项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中产生激发电流的 物质为从二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、氧化锌( ZnO)、三氧化钨(WO3)、氧化铅(PbO)、三氧化钛钡( BaTiO3)、三氧化二铋(Bi2O3)、三氧化钛锶(SrTiO3)、三 氧化二铁(Fe2O3)、三氧化钛铁(FeTiO3)、三氧化钽钾( KTaO3)、三氧化钛锰(MnTiO3)、二氧化锡(SnO2)和五氧 化二铌(Nb2O5)中选择的至少一化合物。 13.如申请专利范围第11项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中贵金属较佳地为 从铂(Pt)、钯(Pd)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)和钌(Ru)中 选择的至少一元素。 14.如申请专利范围第11项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中产生激发电流的 物质和贵金属藉由化学注入、火焰喷涂、喷洒、 电镀和气相沉积中选择的至少一方法被施加。 15.如申请专利范围第11项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中藉由从馈水系统 或冷凝系统注入氢,反应器水中氧化分子浓度和退 化分子浓度被控制,使得H2/O2的摩耳数比为少于二 的値。 16.如申请专利范围第15项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中馈水系统或该冷 凝系统中水中氢的浓度不少于零点零七百万分率 且少于零点一六百万分率。 17.如申请专利范围第14项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中在产生激发电流 的该物质施加或附着之前,贵金属被施加。 18.如申请专利范围第14项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中产生激发电流的 物质及贵金属同时被施加,或在贵金属施加之前, 产生激发电流的物质被施加。 19.如申请专利范围第11项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中由不锈钢所组成 核反应器构造材料的电化学腐蚀电位被控制与标 准氢电极相比为-0.23V或更少。 20.如申请专利范围第11项所述之减少构成一核反 应器构造的材料腐蚀之方法,其中由镍基合金所组 成核反应器构造材料的电化学腐蚀电位被控制与 标准氢电极相比为-0.1V或更少。 图式简单说明: 第1图为核能电厂中冷却水的循环系统的概要图。 第2图为显示氧化钛和氢的注入系统的结构之视图 。 第3图为显示氧化钛表面上一氧化还原反应机制的 概要视图。 第4图为显示阳极电流、阴极电流和腐蚀电位间的 关系之Evans图。 第5图为在核能电厂中冷却水循环系统的概要图。 第6图为显示应力腐蚀龟裂之生成比率和腐蚀电位 间的关系之图。 第7图为显示应力腐蚀龟裂之龟裂成长比率(growth ratio)和腐蚀电位间的关系之图。 第8图为铁的电位对酸硷値之图。 第9图为显示氢注入量和和腐蚀电位间的关系之图 。 第10图为显示氧化钛附着量、氢注入量和腐蚀电 位间的关系之图。 第11图为解释根据本发明一方面之减少一核反应 器构造材料腐蚀的一方法之例子中优点的长条图 。 第12图为显示根据本发明的方法之例子中氮化合 物的化学型态之变化的长条图。及 第13图为显示根据本发明的方法之例子中电化学 腐蚀电位之氢浓度依存度的特性图。 |
