发明名称 基板处理装置
摘要 为提供一种基板处理装置,在将含冰微粒子之处理液供应至基板表面来进行基板处理的情况下,不会发生处理不均而可进行均匀的处理,不会对在基板上形成之被膜造成损伤。此基板处理装置具备:进行基板处理之基板处理部10、使纯水中含有冰微粒子之冰浆制造装置12、使气体溶解于冰浆中之机构、对冰浆加压之加压泵52与加压槽14、将溶解有气体之加压后冰浆供应至基板处理部10之冰浆供应配管56。
申请公布号 TWI276482 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW094145250 申请日期 2005.12.20
申请人 大斯克琳制造股份有限公司 发明人 山本悟史
分类号 B08B7/00(2006.01);B08B3/04(2006.01);G02F1/13(2006.01);H01L21/30(2006.01) 主分类号 B08B7/00(2006.01)
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼;桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种基板处理装置,系对基板主面供应处理液来 处理基板者,其特征在于具备: 使处理液中含有冰微粒子之冰浆调制机构; 使气体溶解于处理液中之气体溶解机构; 将处理液加压之处理液加压机构;以及 冰浆供应机构,将溶解有气体、含冰微粒子且经过 加压之处理液供应于基板主面。 2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该 冰浆调制机构,系对过冷状态之处理液中喷出过冷 解除用气体来解除处理液之过冷状态者; 该气体溶解机构,系对过冷状态之处理液中喷出过 冷解除用气体使其溶解者; 该处理液加压机构,系对溶解有过冷解除用气体且 含冰微粒子之处理液做加压者。 3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该 冰浆调制机构,系将处理液冷却至其凝固点以下之 温度使处理液之一部分结冰者; 该处理液加压机构,系对含冰微粒子之处理液加压 者; 该气体溶解机构,系对含冰微粒子且加压后之处理 液中供应加压气体使其溶解者。 4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该 气体溶解机构,系对藉由该加压机构加压后之处理 液中供应加压气体使其溶解者; 该冰浆调制机构,系对藉由该加压机构加压后之处 理液中供应加压后之冰微粒子或是加压后之含冰 微粒子之处理液并进行混合者。 5.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该 气体溶解机构,系对藉由该加压机构加压后之处理 液中供应加压气体使其溶解者; 该冰浆调制机构,系对溶解有气体且加压后之处理 液中供应加压后之冰微粒子或是加压后之含冰微 粒子之处理液并进行混合者。 6.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该 气体溶解机构,系对藉由该加压机构加压后之处理 液中供应加压气体使其溶解者; 该冰浆调制机构,系将溶解有气体且加压后之处理 液冷却至其凝固点以下之温度使处理液之一部分 结冰者。 7.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该 气体溶解机构,系对藉由该加压机构加压后之处理 液中供应加压气体使其溶解者; 该冰浆调制机构,系将溶解有气体且加压后之处理 液予以冷却达到过冷状态,对该过冷状态之处理液 中喷出过冷解除用气体来解除处理液之过冷状态 者。 8.如申请专利范围第1项、第3至7项中任一项之基 板处理装置,其中,该气体为二氧化碳。 9.如申请专利范围第2项或第7项之基板处理装置, 其中,该过冷解除用气体为二氧化碳。 图式简单说明: 图1系表示本发明之实施形态之1例,其表示基板洗 净装置之整体构成的概略图。 图2系图1所示基板洗净装置之构成要件之一的冰 浆制造装置本体部之外观立体图。 图3系将图2所示之冰浆制造装置本体部朝纵向截 断状态下之局部放大立体图。 图4系图2所示冰浆制造装置之方块构成图。 图5系表示图1所示基板洗净装置之基板处理部的 构成之1例之概略俯视图。 图6系表示本发明之另一实施形态,其表示基板洗 净装置整体构成之概略图。 图7系表示图6所示基板洗净装置之构成要件之一 的冰浆制造装置构成例之概略截面图。 图8系表示本发明之另一实施形态,其表示基板洗 净装置整体构成之概略图。 图9系表示本发明之另一实施形态,其表示基板洗 净装置整体构成之概略图。 图10系表示本发明之另一实施形态,其表示基板洗 净装置整体构成之概略图。 图11系表示本发明之另一实施形态,其系表示基板 洗净装置整体构成之概略图。
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