| 主权项 |
1.一种对准标记,配置于一半导体晶圆上,该半导体 晶圆上具有一元件特征,该元件特征具有一元件尺 寸,该对准标记包括: 一辨识图案;以及 一测试图案,配置于该辨识图案中,由一测试特征 所组成,该测试特征具有一测试尺寸,且该测试尺 寸与该元件尺寸相近。 2.如申请专利范围第1项所述之对准标记,其中该测 试图案配置于该辨识图案的中央位置。 3.如申请专利范围第1项所述之对准标记,其中该对 准标记配置于该半导体晶圆的一晶方(die)或一切 割道(scribe line)上。 4.如申请专利范围第1项所述之对准标记,其中该测 试特征包括沟渠。 5.如申请专利范围第1项所述之对准标记,其中该测 试尺寸为深度或关键尺寸。 6.一种使用对准标记的测量方法,适用于测量一半 导体晶圆上的一测试测试尺寸,该半导体晶圆置放 于一载台上,且该半导体晶圆上具有一元件特征, 该元件特征具有一元件尺寸,该对准标记配置于该 半导体晶圆上且包含一辨识图案及一测试图案,该 测试图案配置于该辨识图案中,且该辨识图案与该 测试图案均由该测试特征所组成,该测试特征之该 测试尺寸与该元件特征之该元件尺寸相近,使用该 对准标记的测量方法包括: 以一光学显微镜对该半导体晶圆进行辨识,以确认 该对准标记的区域;以及 以一原子力显微镜对位于该对准标记的区域中的 该测试图案进行扫描。 7.如申请专利范围第6项所述之使用对准标记的测 量方法,以该原子力显微镜对位于该对准标记的区 域中的该测试图案进行扫描的步骤包括: 以该原子力显微镜对该对准标记的区域进行一粗 略扫描(coarse scan),以确认该测试图案的区域;以及 以该原子力显微镜对该测试图案的区域进行一精 细扫描(fine scan)。 8.如申请专利范围第7项所述之使用对准标记的测 量方法,在以该原子力显微镜对该对准标记的区域 进行该粗略扫描之后,更包括: (1)对该粗略扫描所得到的一粗略扫描影像进行分 析,当该测试图案不在该粗略扫描影像的中央位置 时,计算该测试图案偏离该粗略扫描影像的中心位 置之一第一偏移量; (2)使该载台移动该第一偏移量,以使该测试图案位 于该原子力显微镜的探针之归零位置; (3)以该原子力显微镜对该测试图案的区域进行一 精细扫描得到一精细扫描影像,并计算该测试图案 偏离该精细扫描影像的中心位置之第二偏移量;以 及 (4)使载台移动该第二偏移量,以使该测试图案位于 该精细扫描的区域之中央位置。 9.如申请专利范围第8项所述之使用对准标记的测 量方法,当该测试图案非位于该精细扫描的区域之 中央位置时,更包括重复步骤(3)及步骤(4),以使该 测试图案位于该精细扫描的区域之中央位置。 10.如申请专利范围第6项所述之使用对准标记的测 量方法,其中以该光学显微镜对该半导体晶圆进行 扫描的步骤包括: (1)以该光学显微镜该对准标记进行一粗略辨识得 到一粗略辨识影像,分析该光学显微镜的该粗略辨 识影像,并计算该辨识图案偏离该粗略辨识影像中 心之一第三偏移量; (2)使该载台移动该第三偏移量,以使该对准标记位 于光学显微镜光轴位置; (3)以光学显微镜对该准标记进行精细辨识得到一 精细辨识影像,分析该光学显微镜的该精细辨识影 像,并计算该辨识图案偏离该精细辨识影像中心之 第四偏移量;以及 (4)使该载台将移动该第四偏移量,以使辨识图案位 于该精细辨识之影像的中央位置。 11.如申请专利范围第10项所述之使用对准标记的 测量方法,当该测试图案非位于该精细辨识的区域 之中央位置时,更包括重复步骤(3)及步骤(4),以使 该测试图案位于该精细辨识的区域之中央位置。 12.如申请专利范围第6项所述之使用对准标记的测 量方法,其中该测试图案配置于该辨识图案的中央 位置。 13.如申请专利范围第6项所述之使用对准标记的测 量方法,其中该对准标记配置于该半导体晶圆的一 晶方(die)或一切割道(scribe line)上。 14.如申请专利范围第6项所述之使用对准标记的测 量方法,其中该测试特征包括沟渠。 15.如申请专利范围第6项所述之使用对准标记的测 量方法,其中该测试尺寸为深度或关键尺寸。 图式简单说明: 图1所绘示为本发明一实施例之半导体晶圆的上视 图。 图2所绘示为本发明一实施例以光学显微镜对半导 体晶圆进行粗略扫描后的示意图。 图3所绘示为图2中矩形虚线区域的局部放大图。 图4所绘示为图3中矩形虚线区域的局部放大图。 图5所绘示为图4中矩形虚线区域的局部放大图。 |
