| 发明名称 | CMP用料浆以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1305985C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200410004329.1 | 申请日期 | 2004.02.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松井之辉;南幅学;矢野博之 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09G1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;黄革生 |
| 主权项 | 1、一种CMP用料浆，其包含：溶剂；磨料颗粒；和其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂，和树脂颗粒。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||