| 发明名称 | 薄膜电路装置及其制造方法、电光学装置和电子仪器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种最佳实现三维电路结构的薄膜电路装置。其中薄膜电路装置，包括：具有耐热性的第一基板；形成在所述第一基板上，并由给予能量而产生剥离的剥离层和形成在所述剥离层上的绝缘性基底层；形成在所述基底层上的薄膜电路层；形成在所述薄膜电路层上的保护层；贯通所述基底层的一部分而连接所述剥离层，由剥离该剥离层而被露出，并进行外部电路与所述薄膜电路层之间连接的连接电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1306618C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200410044799.0 | 申请日期 | 2004.05.18 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宇都宫纯夫 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H05B33/14(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种薄膜电路装置，其特征在于，包括：具有耐热性的第一基板；形成在所述第一基板上，并由给予能量而产生剥离的剥离层和形成在所述剥离层上的绝缘性基底层；形成在所述基底层上的薄膜电路层；形成在所述薄膜电路层上的保护层；贯通所述基底层的一部分而连接所述剥离层，由剥离该剥离层而被露出，并进行外部电路与所述薄膜电路层之间连接的连接电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||