| 发明名称 | 用于第III族氮化物化合物半导体器件的n－电极 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于使n-电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n-型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n-电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1306560C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN02802830.9 | 申请日期 | 2002.09.02 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 村井俊介;村上正纪;小出康夫;柴田直树 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/80(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春琦 |
| 主权项 | 1.一种用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极，其包含：第一电极材料，由钛构成；第二电极材料，由至少一种选自钯和铂的金属构成；第三电极材料，由铝构成；其中第二电极材料设置到第一电极材料上，第三电极材料设置到第二电极材料上，所述的第一电极材料层、所述的第二电极材料层和所述的第三电极材料层的膜厚度比值是10∶1-10∶100；并且所述n-电极是通过在500℃-700℃的温度下加热形成的。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||