| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。根据该氮化物半导体发光器件及其制造方法，发光器件的光功率得到提高并且运行可靠性得到增强。 | ||
| 申请公布号 | CN1934719A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200580008612.4 | 申请日期 | 2005.11.04 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 梁承铉 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，包含：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||