| 发明名称 | 非挥发性记忆胞与其制造方法及非挥发性记忆体制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种非挥发性记忆胞与其制造方法及非挥发性记忆体制造方法。在该非挥发性记忆胞的制造方法中，先于基底上形成数个堆叠闸极结构，并于堆叠闸极结构的侧边的基底中形成数个掺杂区。然后，于该些堆叠闸极结构的侧壁上形成数个间隙壁。之后，于暴露的部分掺杂区上形成数个导体垫层。由于导体垫层的形成，可以降低记忆胞的掺杂区的阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN1933126A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200510103412.9 | 申请日期 | 2005.09.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 翁孟暄;韩宗廷;陈铭祥 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种非挥发性记忆胞的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底；于该基底上形成多数个堆叠闸极结构，其中各该堆叠闸极结构由该基底依序为一底介电层、一电荷储存层、一顶介电层与一控制闸极层；于该些堆叠闸极结构的侧边的该基底中形成多数个掺杂区；于该些堆叠闸极结构的侧壁上形成多数个间隙壁；以及于裸露的该些掺杂区上形成多数个导体垫层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||