发明名称 | 含聚硅氧烷的空穴传输材料 | ||
摘要 | 一种有机发光二极管,其包括具有第一相对表面和第二相对表面的基底;覆盖第一相对表面的第一电极层;覆盖第一电极层的发光元件,该发光元件包括:空穴传输层和发射/电子传输层,其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上,和空穴传输层包括通过施加硅氧烷组合物以形成膜,并固化该膜而制备的固化的聚硅氧烷,其中该硅氧烷组合物包括具有选自咔唑基、氟代烷基和五氟苯基烷基中的基团的聚硅氧烷;和覆盖该发光元件的第二电极层。 | ||
申请公布号 | CN1934724A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
申请号 | CN200580008349.9 | 申请日期 | 2005.01.18 |
申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | P·斯考克;铃木俊夫;许世和 |
分类号 | H01L51/30(2006.01) | 主分类号 | H01L51/30(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
主权项 | 1.一种有机发光二极管,其包括:具有第一相对表面和第二相对表面的基底;覆盖第一相对表面的第一电极层;覆盖第一电极层的发光元件,该发光元件包括:空穴传输层,和发射/电子传输层,其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上,和空穴传输层包括通过施加硅氧烷组合物以形成膜、并固化该膜而制备的固化的聚硅氧烷,其中该硅氧烷组合物包含:(A)在有机溶剂存在下,通过使硅烷与水反应而制备的聚硅氧烷,其中所述硅烷选自至少一种具有通式R1SiX3的取代硅烷和含该取代硅烷与至少一种具有通式SiX4的四官能硅烷的混合物,其中R1是-Y-Cz、-(CH2)m-CnF2n+1或-(CH2)m-C6F5,其中Cz是N-咔唑基,Y是二价有机基团,m是2-10的整数,n是1-3的整数,和X是可水解的基团,和(B)有机溶剂;和覆盖该发光元件的第二电极层。 | ||
地址 | 美国密执安 |