发明名称 电抛光半导体器件上金属互连的装置
摘要 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5,7,9)和至少一个阴极(1,2,3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5,7,9)送入抛光槽(100)。然后,阴极(1,2,3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面,可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。
申请公布号 CN1306572C 申请公布日期 2007.03.21
申请号 CN200410004837.X 申请日期 1999.07.08
申请人 ACM研究公司 发明人 辉·王
分类号 H01L21/321(2006.01);C25F3/16(2006.01) 主分类号 H01L21/321(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种用来对制作在晶片上的金属层进行电抛光的装置,它包含:用来抛光金属层的电解液;用来容纳晶片的抛光槽;用来将晶片吸住并将晶片置于所述抛光槽中的晶片吸盘;以及至少一个用来将所述电解液涂敷到晶片的喷射器,其中所述喷射器将所述电解液涂敷到晶片的逐个部分,以便从晶片均匀地电抛光金属层。
地址 美国加利福尼亚