发明名称 |
导体层的制造方法 |
摘要 |
一种导体层的制造方法,此方法先提供一基底,其中基底的表面上具有一介电层,这个介电层具有一图案化结构,并且图案化结构中暴露出导体层的一部分。然后,对基底的表面进行第一清洗步骤。接着在导体层被暴露出来的此部分表面,形成覆盖层。继而,对基底的表面进行第二清洗步骤,以去除残留于介电层表面的覆盖层。之后,对基底的表面进行干式清洗干燥步骤以清洗并干燥基底的表面。 |
申请公布号 |
CN1933122A |
申请公布日期 |
2007.03.21 |
申请号 |
CN200510099540.0 |
申请日期 |
2005.09.13 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
许嘉麟;方亮渊;陈树仁 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3213(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种导体层的制造方法,包括:提供一基底,其中该基底中具有一导体层,该基底的一表面上具有一介电层、该介电层具有一图案化结构,并且该图案化结构暴露出该导体层的一部分;对该基底的该表面进行一第一清洗步骤;在暴露出的该导体层的该部分的一表面形成一覆盖层;对该基底的该表面进行一第二清洗步骤,以去除残留于该介电层的一表面的该覆盖层;对该基底的该表面进行一干式清洗干燥步骤以清洗并干燥该基底的该表面。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |