| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其修补方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种薄膜晶体管阵列基板及其修补方法，主要在薄膜晶体管阵列基板的画素电极、电容电极及共用配线上分别开设一开口，其中电容电极与共用配线上的开口是位于画素电极的开口内，且画素电极的开口暴露出共用配线及电容电极的部分区域，藉由配置一连接导体层在画素电极内将电容电极与共用配线电性连接，以使画素电极与电容电极耦合形成一第一金属层/绝缘层/铟锡氧化物层(MII)架构的储存电容。当此储存电容失效时，可藉由激光修补将原本为第一金属层/绝缘层/铟锡氧化物层(MII)架构的储存电容切换为第一金属层/绝缘层/第二金属层(MIM)架构的储存电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1306557C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200410054684.X | 申请日期 | 2004.07.27 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 吴俊麟;侯凯元;沈肇锜;陈仁杰 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L27/12(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于其包括：一基板；多数个扫瞄配线，配置在该基板上；多数个资料配线，配置在该基板上，其中该些扫瞄配线与该些资料配线将该基板区分为多数个画素区域；多数个薄膜晶体管，每一该些薄膜晶体管是位于该些画素区域其中之一内，其中该些薄膜晶体管是藉由该些扫瞄配线以及该些资料配线驱动；多数个画素电极，每一该些画素电极位于该些画素区域其中之一内，以与对应的该些薄膜晶体管其中之一电性连接，而且每一该些画素电极具有一第一开口；多数个共用配线，配置在该基板上，每一该些画素电极的部分区域是位于对应的该些共用配线其中之一的上方，而每一该些共用配线具有一第二开口，是位于该第一开口内；多数个电容电极，每一该些电容电极配置在每一该些画素电极以及该些共用配线其中之一之间，而每一该些电容电极具有一第三开口，是位于该第一开口内，该第三开口与第二开口部分重叠，且该第三开口暴露出该些共用配线其中之一的部分区域；以及多数个连接导体层，每一该些连接导体层是位于该第一开口内，且每一该些连接导体层是与对应的该些电容电极其中之一及该些共用配线其中之一电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||