| 发明名称 | 堆栈式对准标记与光刻工艺对准方法 | ||
| 摘要 | 一种堆栈式对准标记，其包括第一对准标记与第二对准标记。第一对准标记是配置于第一膜层中，其是由多个导线所构成，而第二对准标记是配置于第二膜层中，且第二膜层位于第一膜层下。其中，第一对准标记与第二对准标记形成于相对应的区域内，且第二对准标记至少包括对应于相邻二导线间隙的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1932653A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200510103920.7 | 申请日期 | 2005.09.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 贾伟圣;陈志荣;陈重安;黄志忠 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种堆栈式对准标记，包括：一第一对准标记，配置于一第一膜层中，该第一对准标记是由多个第一导线所构成；以及一第二对准标记，配置于该第一膜层下方的一第二膜层中，其中该第一对准标记与该第二对准标记形成于相对应的区域内，且该第二对准标记至少包括对应于相邻二第一导线间隙的区域。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||