发明名称 铜化学机械研磨方法
摘要 一种铜化学机械研磨方法,适于平坦化形成于基底上的一铜金属层,且此铜金属层通常用来填满基底中的开口。这种方法是先进行第一阶段研磨,以去除铜金属层的部分厚度,其中于第一阶段研磨后,铜金属层残留于基底表面的厚度在500~4000埃之间。然后,进行第二阶段研磨,以完全去除开口以外的铜金属层。其中,可选择在不同研磨垫上进行不同阶段研磨。由于两阶段研磨步骤的关系,本发明可避免在化学机械研磨方法后有铜金属层缺漏的情形发生。
申请公布号 CN1931518A 申请公布日期 2007.03.21
申请号 CN200510099539.8 申请日期 2005.09.13
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 李志嶽;魏詠宗;童宇诚;林俊贤;吴俊元
分类号 B24B1/00(2006.01) 主分类号 B24B1/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种铜化学机械研磨方法,适于平坦化一铜金属层,该铜金属层覆盖在具有一开口的一基底上并填满该开口,其步骤包括:进行一第一阶段研磨,以去除该铜金属层的部分厚度,其中于该第一阶段研磨后,该铜金属层残留于该基底表面的厚度在500~4000埃之间;以及进行一第二阶段研磨,以完全去除该开口以外的该铜金属层。
地址 台湾省新竹科学工业园区