| 发明名称 | 低K介电材料的化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抛光含低k介电层的基板的方法，其包括(i)以包括(a)研磨剂、抛光垫或其组合，(b)两亲型非离子界面活性剂及(c)液体载体的化学机械抛光体系接触基板；及(ii)研磨至少一部分的基板以抛光基板。 | ||
| 申请公布号 | CN1305984C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN03813172.2 | 申请日期 | 2003.05.26 |
| 申请人 | 卡伯特微电子公司 | 发明人 | 凯文·J·莫根伯格;霍默·乔;约瑟夫·D·霍金斯;杰弗里·P·张伯伦 |
| 分类号 | C09G1/00(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | C09G1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 赵仁临;张平元 |
| 主权项 | 1.一种抛光基板的方法，包括：(i)以含有下列组分的化学机械抛光体系接触包括介电层的基板：(a)研磨剂、抛光垫或其组合；(b)两亲型非离子界面活性剂，及；(c)液体载体，及(ii)研磨至少一部分的该基板以抛光该介电层；其中该介电层的介电常数为3.5或更低。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||