| 发明名称 | 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅片的低温氧化的方法，其包括：将硅片放置在真空室中；将硅片保持在大约室温-350℃；将选自O<SUB>2</SUB>和O<SUB>3</SUB>的氧化气体引入所述真空室；和用发出自准分子激光器的光来照射所述氧化气体和硅片以产生反应性氧种并在硅片上形成氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN1306570C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN03131016.8 | 申请日期 | 2003.05.14 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 大野芳睦;李宗霑 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/283(2006.01);C23C14/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1、一种硅片的低温氧化方法，其包括：将硅片放置在真空室内；将硅片保持在室温-350℃；将氧化气体引入所述真空室，该氧化气体选自O2和O3；和用发出自准分子激光器的光来照射所述氧化气体和硅片，以产生反应性氧种并在硅片上形成氧化层，在所述的氧化层形成过程中，将5-10伏特的负电势施用于所述的硅片上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||