| 发明名称 | 光刻胶组合物和形成光刻胶图像的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及对深紫外中的辐射敏感的光刻胶组合物，特别是在100-200纳米(nm)范围中敏感的正性光刻胶组合物。光刻胶组合物包括a)不溶于碱性水溶液和包括至少一个酸不稳定基团的聚合物，和此外其中聚合物基本是非酚类的；b)在辐射时能够产生酸的化合物；和c)降低电子和离子对光刻胶图像影响的添加剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1306340C | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN02821615.6 | 申请日期 | 2002.10.25 |
| 申请人 | AZ电子材料日本株式会社 | 发明人 | 工藤隆范;R·R·达莫尔;M·帕德曼纳班 |
| 分类号 | G03F7/039(2006.01) | 主分类号 | G03F7/039(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1.一种用于在200nm以下曝光和能够降低电子和离子对光刻胶劣化影响的光刻胶组合物，包括：a)不溶于碱性水溶液和包括至少一个酸不稳定基团的聚合物，和此外其中该聚合物是非芳族的；b)在辐射时能够产生酸的化合物；和c)选自醌、取代醌和碘取代芳族化合物的添加剂。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||