| 发明名称 | 多步骤低温间隔层制作方法 | ||
| 摘要 | 多步骤低温间隔层制作方法，形成多层间隔层结构，其中初始间隔层采用高产能低膜质量淀积方法，而外间隔层采用低产能高膜质量淀积方法，因此形成的多层间隔层，内层初始间隔层疏松但产能高，而外间隔层致密对内层起到保护作用，实现了合理的产能和需要的高膜质量的统一。 | ||
| 申请公布号 | CN1933107A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200510029705.7 | 申请日期 | 2005.09.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宁先捷;朴松源 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.多步骤低温间隔层制作方法，包括如下步骤：a)形成多晶硅栅极导电结构；b)淀积第一层间隔层材料，其采用高产能低膜质量淀积方法形成；c)刻蚀第一间隔层材料形成初始间隔层；d)淀积第二层间隔层材料，其采用低产能高膜质量淀积方法形成；e)刻蚀第二间隔层材料形成外间隔层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||