深沟渠绝缘结构及其形成方法

摘要

本发明揭露一种深沟渠绝缘结构与其形成方法。其描述数种用以增加靠近深沟渠绝缘结构所形成寄生电晶体的门槛电压的方法与结构，其包含将一通道终止区域植入至该深沟渠绝缘结构底部表面中，利用一种绝缘材料部分地填充该深沟渠绝缘结构的底部部分，及/或利用一种掺杂多晶矽材料填充该深沟渠绝缘结构的至少一部份。