光电半导体晶片

摘要

本发明涉及一种光电半导体晶片，其在半导体晶片(20)之生长方向(c)中具有以下顺序的区域：-一活性区(2)用之p-掺杂的位障层(1)-活性区(2)，其用来产生电磁辐射，其中该活性区以一种六角形化合物半导体为主来制成，以及-该活性区(2)用之n-掺杂的位障层(3)。此外，本发明另涉及一种具有此半导体晶片之组件及此半导体晶片之制造方法。