用于二氧化矽层及底层矽之合并蚀刻及掺杂介质

摘要

本发明首先系关于无HF/氟化物之蚀刻及掺杂介质，其既适合于二氧化矽层之蚀刻且亦适合于底层矽层之掺杂。本发明其次亦系关于一种使用此等介质之方法。