GaN系半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明之目的在于提供可抑制在活性层之厚度方向之压电自发极化之发生，且可谋求发光二极体之驱动电压之低电压化之GaN系半导体发光元件。GaN系半导体发光元件系包含顶面与A面平行而具有第1导电型之第1 GaN系化合物半导体层21、顶面与A面平行之活性层22、顶面与A面平行而具有第2导电型之第2 GaN系化合物半导体层23、由GaN系化合物半导体所构成，顶面与A面平行之接触层24被逐次叠层而构成，且被形成于第1 GaN系化合物半导体层21上之第1电极25、及形成于接触层24上之第2电极26。