发明名称 覆晶封装制程
摘要 一种覆晶封装制程。本发明的特征系在于形成铜柱(Cu Pillar)在一晶圆之上,及形成焊料在基板上,并使焊料大体上完全包覆住铜柱暴露于外之表面,以使铜柱与基板相连接。本发明之铜柱的形状可为例如:角柱体或圆柱体。
申请公布号 TW200711154 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW094130921 申请日期 2005.09.08
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈建泛;陈逸信
分类号 H01L31/0203(2006.01) 主分类号 H01L31/0203(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号