发明名称 电浆处理方法
摘要 本发明系提供一种电浆处理方法,系利用电浆使矽直接氮化,可形成良质的氮化膜之技术。该电浆处理方法,系在电浆处理装置的处理室内,使含氮电浆作用于被处理体表面的矽而直接氮化处理,形成氮化矽膜,其特征为包含有:藉由前述含氮电浆中的自由基成分引起氮化反应成为支配条件,进行电浆处理的第1步骤;及藉由前述含氮电浆中的离子成分引起氮化反应成为支配条件,进行电浆处理的第2步骤。
申请公布号 TW200710990 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW095119020 申请日期 2006.05.29
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 本多稔;中西敏雄
分类号 H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本