发明名称 | 电浆处理方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种电浆处理方法,系利用电浆使矽直接氮化,可形成良质的氮化膜之技术。该电浆处理方法,系在电浆处理装置的处理室内,使含氮电浆作用于被处理体表面的矽而直接氮化处理,形成氮化矽膜,其特征为包含有:藉由前述含氮电浆中的自由基成分引起氮化反应成为支配条件,进行电浆处理的第1步骤;及藉由前述含氮电浆中的离子成分引起氮化反应成为支配条件,进行电浆处理的第2步骤。 | ||
申请公布号 | TW200710990 | 申请公布日期 | 2007.03.16 |
申请号 | TW095119020 | 申请日期 | 2006.05.29 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 本多稔;中西敏雄 |
分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |