| 摘要 |
本发明是关于一种半导体制造装置以及使用此装置制作薄膜的方法，本发明的半导体制造装置包括具有预先定义反应空间的反应室；喷头单元，其用以注入经由气体供应孔导入的预先定义气体至反应室，喷头单元包括挡板、加热区块以及泵接口，其中挡板是与气体供应孔结合在一起，加热区块是提供在喷头单元之下以允许晶圆置于其上，而泵接口包括数个排气孔。基此，由于可以轻易地处理高温控制，所以可形成高温硬罩幕。因此，可以改善薄膜的品质。再者，反应气体可均匀地分布在喷头上并且可透过喷头使用与气体供应孔结合在一起的挡板来均匀地与快速地注入在置于加热器上的基质上。再者，反应气体透过喷头到达基质所花的时间会最小，其可最小化稳定反应温度所需的时间。另外，设备的维护时间与成本也会降低。 |
