发明名称 自我更新之控制装置
摘要 本发明揭示一种自我更新控制装置,其用于减少在截止状态中之电晶体之一电流泄漏。用来控制一用于一半导体记忆体装置中之电压的装置包括:一第一电压供应区块,其用来回应一输入控制讯号而向该半导体记忆体装置供应一第一电压;及一第二电压供应区块,其用来回应该输入控制讯号而向该半导体记忆体装置供应一第二电压,其中该第一电压及该第二电压系用作一包括于该半导体记忆体装置中之电晶体的一基体电压。
申请公布号 TW200710870 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW094147415 申请日期 2005.12.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 秋新镐
分类号 G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C7/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国