低泄漏电晶体及其制造方法

摘要

硼离子流可用以将诸如硼离子之离子植入诸如一NFET活性区之一活性区之侧壁中。该硼离子流具有相对于该等侧壁及/或该矽装置之垂直倾斜角及水平旋转分量，以提供至该等侧壁之较佳视线。此可允许该矽装置之组件移动而更靠近但不会过度地降低NFET活性区侧壁之硼掺杂之有效性，并在以STI材料填充周围沟槽之前提供至一NFET活性区之侧壁之硼离子流的改良视线。