| 摘要 |
用以将半导体结构自一初始基材转移至一基底基材之程序系包括将具有一二氧化矽层之初始基材结合至一被氢植入充分弱化以供劈切之经掺杂矽结构。劈切之后，一经掺杂矽层仍留存，而埋设二氧化矽层于经掺杂矽层与初始基材之间。半导体结构系形成于一配置在经掺杂矽层上之磊晶层内/上而形成一中间半导体结构。一程序握柄暂时地结合至半导体结构以供支撑。初始基材系由一机械薄化程序薄化及移除，接着系为使用经埋设二氧化矽层作为一蚀刻停止部之化学蚀刻。二氧化矽层系自经掺杂矽层被化学移除。一基底基材形成于经掺杂矽层上。程序握柄被移除而留下配置于基底基材上之半导体结构。 |
