| 摘要 |
用于提升半导体装置性能的材料与结构包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、含有镁以利晶格匹配之ZnBeO合金材料、以及BeO材料。在ZnBeO合金系统(亦即Zu1-xBexO)中，可改变Be的原子比例x来增加氧化锌的能带间隙值，以使其高于氧化锌的能带间隙值；而在ZnCdOSe合金系统(亦即Zn1-yCdyO1-zSez)中，可改变Cd的原子比例y与Se的原子比例z来降低氧化锌的能带间隙值，以使其低于氧化锌的能带间隙值。利用所选择之掺质元素，所形成的每一种合金可为未经掺杂、p型掺杂、或n型掺杂；这些合金可以单独或以组合方式加以使用，以形成可发射一定范围波长值的主动光子层、如单一与多重量子井之异质结构、以及超晶格层或覆层，并可用以制造光学或电子半导体装置。这些就可用于提升半导体装置的功能、容量与性能。 |
