发明名称 雷射照射方法及雷射照射装置以及半导体装置之制造方法
摘要 本发明之特征在于藉由系倾斜入射到凸透镜的雷射光束,出现诸如像散等的像差,并且雷射光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线形。因为本发明具有非常简单的结构,光线调整较容易,并且装置尺寸变小。此外,由于光束相对于被照体为倾斜入射的,可防止返回光束。
申请公布号 TW200710999 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW095137150 申请日期 2002.09.24
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 田中幸一郎;宫入秀和;志贺爱子;下村明久;矶部敦生
分类号 H01L21/324(2006.01);H01L21/312(2006.01);G02B26/10(2006.01);G02F1/13(2006.01) 主分类号 H01L21/324(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本