发明名称 含锶之金属复合氧化物及使用其之离子导体
摘要 本发明揭露一种包含一金属复合氧化物之离子导体,且其于一冰晶石晶格中含有氧及金属缺陷之特征。本发明也揭露一种包含该离子导体之电化学装置。由于该金属复合氧化物于晶格金属离子位置发生缺陷,所以在晶格内形成一开放空间,有助于改善其离子导电性,因此,该金属复合氧化物用于一离子导体或一需离子导电性的电化学装置。
申请公布号 TW200710039 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW095132715 申请日期 2006.09.05
申请人 LG化学公司 发明人 朴美惠;李应齐;卢允镐;洪承泰
分类号 C01G11/02(2006.01);C01G17/00(2006.01);C01G33/00(2006.01);C01G35/00(2006.01);H01B1/08(2006.01) 主分类号 C01G11/02(2006.01)
代理机构 代理人 吴冠赐;杨庆隆;苏建太
主权项
地址 韩国