发明名称 晶圆清洗制程以及形成开口的方法
摘要 一种晶圆清洗制程,适用于在一晶圆上进行一蚀刻制程之后进行。其中晶圆具有一晶圆圆心、一晶圆半径以及一晶圆边缘。而此方法包括以一喷嘴传导一清洗溶液至晶圆上方,且同时喷嘴以晶圆圆心为一中心,沿着一移动路径,于晶圆圆心的附近上方来回移动。
申请公布号 TW200710976 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW094131271 申请日期 2005.09.12
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈博仁
分类号 H01L21/302(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/302(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号