发明名称 |
用于读取包含可切换电阻记忆体组件之非挥发性记忆体单元之阵列之装置及方法 |
摘要 |
一种非挥发性记忆体单元包括与一切换元件串联的一可切换电阻记忆体组件。该等单元之一阵列可仅使用正电压来程式化。一种用于程式化该等单元之方法亦支持0及1资料状态之一直接写入而不需要一区块擦除操作,且可缩放以用于相对低压之电源。一种用于读取该等单元之方法藉由外加具有与用以将该可切换电阻记忆体组件改变为一低电阻状态之一设定电压之极性相反的极性的一读取偏压,而减少一所选择记忆体单元之读取干扰。该等程式化及读取方法良好适用于在一基板之上之多个层次上形成的一三维记忆体阵列,特别系在非常紧密布局间距上具有极紧密阵列线驱动器的记忆体阵列。 |
申请公布号 |
TW200710678 |
申请公布日期 |
2007.03.16 |
申请号 |
TW095125287 |
申请日期 |
2006.07.11 |
申请人 |
桑迪士克3D公司 |
发明人 |
洛依E 艾德恩 |
分类号 |
G06F15/76(2006.01);G11C27/00(2006.01) |
主分类号 |
G06F15/76(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
黄章典;楼颖智 |
主权项 |
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地址 |
美国 |