| 发明名称 | 电容介电层的制造方法与电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电容介电层的制造方法，此制造方法为进行一多重原子层沈积步骤，形成一氧化铪铝层，当做电容介电层。其中，在氧化铪铝层中，氧化铝对氧化铪的浓度比介于1：5至1：7之间。 | ||
| 申请公布号 | TW200711051 | 申请公布日期 | 2007.03.16 |
| 申请号 | TW094130843 | 申请日期 | 2005.09.08 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 彭文权 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 | ||