| 发明名称 |
制造双应变通道半导体元件的方法 |
| 摘要 |
本揭示内容揭示一种制造双应变通道半导体元件的方法。依据本揭示内容之具体实施例，制造双应变通道半导体元件(10)之程序包含将应变Si(16)及压缩SiGe(28)与沟渠隔离(24)整合来达到一同时的NMOS及PMOS性能增强。如本文所说明，NMOS与PMOS之整合可采用数个方式加以实施来达到与浅沟渠隔离相容的NMOS与PMOS通道。 |
| 申请公布号 |
TW200711045 |
申请公布日期 |
2007.03.16 |
| 申请号 |
TW095107353 |
申请日期 |
2006.03.06 |
| 申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
马里安G 沙达卡;亚历山大L 巴尔;德詹 乔华诺维克;碧奇-彦 恩谷颜;辛文业;尚恩G 汤玛士;泰德R 怀特 |
| 分类号 |
H01L21/8238(2006.01);H01L21/70(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
