制造覆晶于半导体元件封装之晶圆级无凸块式方法

摘要

本发明揭露一种制造覆晶于半导体元件封装之晶圆级无凸块式方法，其系包含下列步骤：将半导体晶粒的正面进行防焊漆涂布，并利用防焊漆涂布以提供复数个闸极接触窗与复数个源极接触窗，再藉由凹涡的标地区域以对导线架进行图案化，依据闸极接触窗与源极接触窗的位置，以在导线架的相对位置上制造出凹涡，再将导电性的环氧树脂印刷在导线架上的凹涡中，再把导线架与半导体矽晶圆晶粒一同进行烘烤固化，并且将矽晶片切割成块状以形成半导体元件封装结构。