发明名称 |
使用一批式处理腔室之基材处理设备 |
摘要 |
本发明之态样包含一种利用适于在一或多个批式及/或单一基材制程腔室中处理基材以增加该系统产能之多腔室制程系统(例如集结式机台)处理基材之方法及设备。在一实施例中,一系统系经配置以执行一基材制程程序,其仅含有批式制程腔室,或批式及单一基材制程腔室,以最佳化产能并最小化制程缺陷。在一实施例中,使用批式制程腔室来增加系统产能,藉由在其中执行与该基材制程程序中其他制程配方步骤相比特别冗长之制程配方步骤。本发明之态样也包含一种传送前驱物至制程腔室之设备及方法,因此可重覆执行ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)沉积制程。 |
申请公布号 |
TW200710948 |
申请公布日期 |
2007.03.16 |
申请号 |
TW095100798 |
申请日期 |
2006.01.09 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
萨库瑞希尔PS THAKUR, RANDHIR P.S.;葛汉纳耶史帝夫G GHANAYEM, STEVE G.;梅利尼尔;薛瓦兹彼得;纳格桑纳斯;窕大卫;海格德斯安德利亚G HEGEDUS, ANDREAS G. |
分类号 |
H01L21/205(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
美国 |