| 摘要 |
本发明系有关于一种用于去除诸如积体电路、大型积体电路及超大型积体电路等半导体装置制程中所使用的光阻之光阻去除剂组成。该光阻去除剂组成包含有(a)0.1到10 wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5到50 wt％的有机溶剂；(c)0.5到30 wt％的有机胺；(d)5到60 wt％的水；(e)0.0001到20 wt％的铵盐；(f)0.4到10 wt％的抗腐蚀剂，以及(g)0.5到30 wt％的该过氧化氢或过氧化氢衍生物之稳定剂。本发明中含有过氧化氢或过氧化氢衍生物之光阻去除剂组成，不论在高温或低温的条件下，皆能于短时间内有效的去除因硬烘烤、乾蚀刻、灰化且/或离子植入而硬化且改性的光阻膜，以及去除因光阻膜下方之金属膜被蚀刻所得之金属副产物所造成之改性的光阻膜，同时可将光阻膜下方之金属配线受侵蚀的情形减至最低。 |
