半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系提供一种提高耐电迁移性之半导体装置及其制造方法。该装置在第1金属布线8上之层间绝缘膜10形成到达第1金属布线8之连接孔10a及布线槽10b。即使在第1金属布线8上预先形成有覆盖层9a，于连接孔10a形成时，连接孔10a内之覆盖层9a之一部分或全部也会被除去。本发明于形成连接孔10a后，仅在连接孔10a之底部选择地形成覆盖层9b。覆盖层9b形成后，在连接孔10a及布线槽10b内埋入阻障金属层17及金属层18，形成接点19及第2金属布线20。